Справочник MOSFET. SUP75N08-10

 

SUP75N08-10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP75N08-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP75N08-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  vishay
sup75n08-10 sub75n08-10.pdfpdf_icon

SUP75N08-10

SUP/SUB75N08-10Vishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)75 0.010 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N08-10Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N08-10ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75

 ..2. Size:750K  cn vbsemi
sup75n08-10.pdfpdf_icon

SUP75N08-10

SUP75N08-10www.VBsemi.twN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Backl

 5.1. Size:106K  vishay
sup75n08-09l sub75n08-09l.pdfpdf_icon

SUP75N08-10

SUP/SUB75N08-09LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V75 "75 a75 "75 a0.011 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N08-09LTop ViewN-Channel MOSFETSUP75N08-09LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

 7.1. Size:72K  1
sup75n06-08 sub75n06-08.pdfpdf_icon

SUP75N08-10

SUP/SUB75N06-08N-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75aContinuous

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPL65R070C7 | IXFR27N80Q | NCEP020N85D | SLU70R600S2 | SQM18N33-160H | IPA90R1K2C3 | 2SK2101-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.