TP0101TS-T1 Todos los transistores

 

TP0101TS-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TP0101TS-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de TP0101TS-T1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TP0101TS-T1 datasheet

 ..1. Size:896K  cn vbsemi
tp0101ts-t1.pdf pdf_icon

TP0101TS-T1

TP0101TS-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICAT

 7.1. Size:43K  vishay
tp0101t ts.pdf pdf_icon

TP0101TS-T1

TP0101T/TS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold PRODUCT SUMMARY ID (A) TP0101T TP0101TS VDS (V) rDS(on) (W) 0.65 @ VGS = 4.5 V 0.6 1.0 20 0.85 @ VGS = 2.5 V 0.5 0.9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories D Low On-Resistance 0.45 W D

 8.1. Size:225K  vishay
tp0101k.pdf pdf_icon

TP0101TS-T1

TP0101K Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold PRODUCT SUMMARY FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Available 0.65 at VGS = - 4.5 V - 0.58 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.85 at VGS = - 2.5 V - 0.5 ESD Protected 3000 V APPLICATIONS Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memorie

Otros transistores... SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , SUU50N06-07L , TN0200K-T1 , TN0200TS , IRF740 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 .

History: FDMS8025S | UT100N03L

 

 

 


History: FDMS8025S | UT100N03L

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

Popular searches

2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl

 

 

↑ Back to Top
.