TP0101TS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TP0101TS-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TP0101TS-T1

TP0101TS-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:896K cn vbsemi
tp0101ts-t1.pdf

TP0101TS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

7.1. Size:43K vishay
tp0101t ts.pdf

TP0101T/TSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-ThresholdPRODUCT SUMMARYID (A)TP0101T TP0101TSVDS (V) rDS(on) (W)0.65 @ VGS = 4.5 V 0.6 1.0200.85 @ VGS = 2.5 V 0.5 0.9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, MemoriesD Low On-Resistance: 0.45 W D

8.1. Size:225K vishay
tp0101k.pdf

TP0101KVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-ThresholdPRODUCT SUMMARY FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)eAvailable0.65 at VGS = - 4.5 V - 0.58 TrenchFET Power MOSFET- 200.85 at VGS = - 2.5 V - 0.5 ESD Protected: 3000 VAPPLICATIONS Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memorie

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History: AP0903GYT-HF | BLF177 | AFN4924

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: