TP0101TS-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP0101TS-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
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TP0101TS-T1 datasheet
tp0101ts-t1.pdf
TP0101TS-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICAT
tp0101t ts.pdf
TP0101T/TS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold PRODUCT SUMMARY ID (A) TP0101T TP0101TS VDS (V) rDS(on) (W) 0.65 @ VGS = 4.5 V 0.6 1.0 20 0.85 @ VGS = 2.5 V 0.5 0.9 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories D Low On-Resistance 0.45 W D
tp0101k.pdf
TP0101K Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold PRODUCT SUMMARY FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Available 0.65 at VGS = - 4.5 V - 0.58 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.85 at VGS = - 2.5 V - 0.5 ESD Protected 3000 V APPLICATIONS Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memorie
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History: FDMS8025S | UT100N03L
History: FDMS8025S | UT100N03L
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