TP0101TS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP0101TS-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TP0101TS-T1
TP0101TS-T1 Datasheet (PDF)
tp0101ts-t1.pdf
TP0101TS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT
tp0101t ts.pdf
TP0101T/TSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-ThresholdPRODUCT SUMMARYID (A)TP0101T TP0101TSVDS (V) rDS(on) (W)0.65 @ VGS = 4.5 V 0.6 1.0200.85 @ VGS = 2.5 V 0.5 0.9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, MemoriesD Low On-Resistance: 0.45 W D
tp0101k.pdf
TP0101KVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-ThresholdPRODUCT SUMMARY FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)eAvailable0.65 at VGS = - 4.5 V - 0.58 TrenchFET Power MOSFET- 200.85 at VGS = - 2.5 V - 0.5 ESD Protected: 3000 VAPPLICATIONS Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memorie
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