UT2955G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT2955G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT2955G

UT2955G Datasheet (PDF)

..1. Size:1423K cn vbsemi
ut2955g.pdf

UT2955Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

0.1. Size:234K utc
ut2955g-aa3-r ut2955l-tn3-r ut2955g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2955 Power MOSFET SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT2955 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, converters and power supplies. FEATURES * RDS(ON)

8.1. Size:186K utc
ut2955.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: