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VB1102M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB1102M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.240(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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VB1102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  cn vbsemi
vb1102m.pdf

VB1102M VB1102M

VB1102Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V 100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V 1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight

 9.1. Size:235K  onsemi
nvb110n65s3f.pdf

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MOSFET Power, SingleN-Channel, D2PAK650 V, 110 mW, 30 ANVB110N65S3FDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX

 9.2. Size:512K  cn vbsemi
vb1101m.pdf

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VB1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.100 at VGS = 10 V 4.3 Material categorization:0.140 at VGS = 6 V 100 4.1 2.9 nC0.150 at VGS = 4.5 V 3.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlight

 9.3. Size:485K  cn vbsemi
vb1106k.pdf

VB1102M VB1102M

VB1106Kwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition100 2.8 at VGS = 10 V Low Threshold: 2 V (typ.)260 Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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