VB7322 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB7322
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.030(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de VB7322 MOSFET
VB7322 Datasheet (PDF)
vb7322.pdf
VB7322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/DC C
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History: HMS17N65F | TSM4872CS | VB7101M | STP80NF10FP | AO6801A | HMS21N60A | HMS200N04D
History: HMS17N65F | TSM4872CS | VB7101M | STP80NF10FP | AO6801A | HMS21N60A | HMS200N04D
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