VBA3316G Todos los transistores

 

VBA3316G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA3316G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBA3316G

 

VBA3316G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1131K  cn vbsemi
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VBA3316Gwww.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 30 12.50.021 at V = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS TestedGS 0.009 at VGS = 10 V 15.0 Compliant to RoHS Directi

 7.1. Size:536K  cn vbsemi
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VBA3316www.VBsemi.comDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-

 8.1. Size:573K  cn vbsemi
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VBA3310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V 1230 5.9 nC Optimized for High-Side Synchronous0.012 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchS

 9.1. Size:496K  cn vbsemi
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VBA3328www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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