VBA5325 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBA5325
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBA5325

VBA5325 Datasheet (PDF)

..1. Size:709K cn vbsemi
vba5325.pdf

VBA5325www.VBsemi.comN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

9.1. Size:664K cn vbsemi
vba5311.pdf

VBA5311www.VBsemi.comN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 11 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.014 at VGS = 4.5 V 10APPLICATIONS0.017 at VGS = - 10 V

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: