TSA23N50M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA23N50M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Encapsulados: TO3P
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TSA23N50M datasheet
tsa23n50m.pdf
TSA23N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s advanced planar stripe DMOS technology. 23A,500V,Max.RDS(on)=0.26 @ VGS =10V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand
Otros transistores... VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , 5N60 , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M .
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