TSA23N50M Todos los transistores

 

TSA23N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA23N50M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA23N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1104K  truesemi
 tsa23n50m.pdf pdf_icon

TSA23N50M

TSA23N50M500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemisadvanced planar stripe DMOS technology. 23A,500V,Max.RDS(on)=0.26 @ VGS =10VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

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History: SLF65R950S2 | IPD90N03S4L-02 | DAMH280N200 | PSMN9R0-30LL | FQN1N60CTA | PJ614DA | SFF35N20M

 

 
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