TSA3878 Todos los transistores

 

TSA3878 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA3878
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSA3878 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  truesemi
 tsa3878.pdf pdf_icon

TSA3878

TSA3878900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9.0A,900V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and w

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF830ASTRL | AOK160A60FDL | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | IRF7779L2TRPBF | SGSP341

 

 
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