TSD5N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSD5N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSD5N60M

TSD5N60M Datasheet (PDF)

..1. Size:1121K truesemi
tsd5n60m tsu5n60m.pdf

TSD5N60M/TSU5N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 12nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

8.1. Size:1206K truesemi
tsd5n65m tsu5n65m.pdf

TSD5N65M/TSU5N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 3.0A,650V,Max.RDS(on)=3.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

9.1. Size:800K truesemi
tsd5n50mr.pdf

TSD5N50MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,500V,Max.RDS(on)=1.6 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 12nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

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Liste

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