TSU5N60M Todos los transistores

 

TSU5N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSU5N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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TSU5N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  truesemi
 tsd5n60m tsu5n60m.pdf pdf_icon

TSU5N60M

TSD5N60M/TSU5N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 12nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

 8.1. Size:1206K  truesemi
 tsd5n65m tsu5n65m.pdf pdf_icon

TSU5N60M

TSD5N65M/TSU5N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 3.0A,650V,Max.RDS(on)=3.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

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History: BUK968R3-40E | IPB80N08S2L-07 | 2SK3512-01SJ | AP6680SGYT-HF | DMG6968UTS | IRL620S | NVMFD6H852NL

 

 
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