FDB13AN06A0 Todos los transistores

 

FDB13AN06A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB13AN06A0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB13AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  fairchild semi
 fdb13an06a0 fdp13an06a0.pdf pdf_icon

FDB13AN06A0

July 2003FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 62A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse

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