Справочник MOSFET. FDB13AN06A0

 

FDB13AN06A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB13AN06A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
 

 Аналог (замена) для FDB13AN06A0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB13AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  fairchild semi
 fdb13an06a0 fdp13an06a0.pdf pdf_icon

FDB13AN06A0

July 2003FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 62A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.