Справочник MOSFET. FDB13AN06A0

 

FDB13AN06A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB13AN06A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB13AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  fairchild semi
 fdb13an06a0 fdp13an06a0.pdf pdf_icon

FDB13AN06A0

July 2003FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 62A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse

Другие MOSFET... FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH , FDB12N50F , FDB12N50TM , FDB12N50U , IRFP260 , FDB14AN06LA0F085 , FDB14N30 , FDB150N10 , STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 .

 

 
Back to Top

 


 
.