FDB13AN06A0 - описание и поиск аналогов

 

FDB13AN06A0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB13AN06A0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB13AN06A0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB13AN06A0 даташит

 ..1. Size:300K  fairchild semi
 fdb13an06a0 fdp13an06a0.pdf pdf_icon

FDB13AN06A0

July 2003 FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse

Другие MOSFET... FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH , FDB12N50F , FDB12N50TM , FDB12N50U , AON7408 , FDB14AN06LA0F085 , FDB14N30 , FDB150N10 , STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 .

History: LSD60R170GF | STB9NK90Z | 2SK3699-01MR | LSD60R105HF | FS10UM-9 | S8205B | FDB150N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.