TSP60R190S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSP60R190S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 36.5 nC
Tiempo de subida (tr): 39 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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TSP60R190S2 Datasheet (PDF)
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tsf60r190s2 tsp60r190s2.pdf
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May, 2018SJ-FETTSF60R190S2/TSP60R190S2600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 650V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16This advanced technology
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