FDB14N30 Todos los transistores

 

FDB14N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB14N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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Principales características: FDB14N30

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FDB14N30

February 2007 TM UniFET FDB14N30 300V N-Channel MOSFET Features Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:247K  fairchild semi
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FDB14N30

January 2004 FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

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FDB14N30

December 2010 FDB14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.3. Size:784K  onsemi
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FDB14N30

FDB14AN06LA0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver

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History: NTTFS8D1N08H | NTZD3158P

 

 
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