FDB14N30 Todos los transistores

 

FDB14N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB14N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FDB14N30 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDB14N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  fairchild semi
 fdb14n30.pdf pdf_icon

FDB14N30

February 2007TMUniFETFDB14N30 300V N-Channel MOSFETFeatures Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:247K  fairchild semi
 fdb14an06la0 fdp14an06la0.pdf pdf_icon

FDB14N30

January 2004FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

 9.2. Size:300K  fairchild semi
 fdb14an06l f085.pdf pdf_icon

FDB14N30

December 2010FDB14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 9.3. Size:784K  onsemi
 fdb14an06la0-f085.pdf pdf_icon

FDB14N30

FDB14AN06LA0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mFeaturesApplications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH , FDB12N50F , FDB12N50TM , FDB12N50U , FDB13AN06A0 , FDB14AN06LA0F085 , 12N60 , FDB150N10 , STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 .

 

 
Back to Top

 


 
.