FDB14N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDB14N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO263 D2PAK
FDB14N30 Datasheet (PDF)
fdb14n30.pdf
February 2007TMUniFETFDB14N30 300V N-Channel MOSFETFeatures Description 14A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 18 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tailored
fdb14an06la0 fdp14an06la0.pdf
January 2004FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu
fdb14an06l f085.pdf
December 2010FDB14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
fdb14an06la0-f085.pdf
FDB14AN06LA0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mFeaturesApplications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver
Другие MOSFET... FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH , FDB12N50F , FDB12N50TM , FDB12N50U , FDB13AN06A0 , FDB14AN06LA0F085 , IRFP250N , FDB150N10 , STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918