TSF13N50M Todos los transistores

 

TSF13N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF13N50M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de TSF13N50M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSF13N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  truesemi
 tsp13n50m tsf13n50m.pdf pdf_icon

TSF13N50M

TSP13N50M/TSF13N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 13A,500V,Max.RDS(on)=0.48 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 45nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperfo

Otros transistores... TSF10N60M , TSP10N65M , TSF10N65M , TSP12N60M , TSF12N60M , TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , IRF1404 , TSP4N60M , TSF4N60M , TSP5N65M , TSF5N65M , TSP740MR , TSF740MR , TSP7N60M , TSF7N60M .

History: 2SK1524 | IPA041N04NG | BRCS070N03DP | PMPB48EP | CJQ9435 | 2N7002TC

 

 
Back to Top

 


 
.