TSP5N65M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSP5N65M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP5N65M

TSP5N65M Datasheet (PDF)

..1. Size:1115K truesemi
tsp5n65m tsf5n65m.pdf

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8.1. Size:656K 1
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TSP5N60M/TSF5N60M 600V N-Channel MOSFET Features 4.5A,600v,RDS(on)=2.2@VGS=10V Gate charge (Typical 17nC) High ruggedness Fast switching 100% AvalancheTested Improved dv/dt capability General Description This Power MOSFET is produced using Truesemis advanced planar stripe, DMOS technology.This latest technology has been especially designed t

8.2. Size:1228K truesemi
tsp5n60m tsf5n60m.pdf

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History: FCA20N60F

Liste

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