TSP740MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSP740MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 193.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm

Encapsulados: TO220

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TSP740MR datasheet

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TSP740MR

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFET General Description Features - 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46 @VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Truesemi s - Low gate charge ( typical 15.7nC) advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggedness This advanced technology has been especially tailored - Fast switching to minimize on-state resistance, provide superior sw

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