TSP740MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSP740MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 193.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 31.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP740MR

TSP740MR Datasheet (PDF)

..1. Size:3927K truesemi
tsp740mr tsf740mr.pdf

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features- 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46@VGS = 10VThis Power MOSFET is produced using Truesemis - Low gate charge ( typical 15.7nC)advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggednessThis advanced technology has been especially tailored - Fast switchingto minimize on-state resistance, provide superior sw

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: