Справочник MOSFET. TSP740MR

 

TSP740MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP740MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP740MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP740MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3927K  truesemi
 tsp740mr tsf740mr.pdf pdf_icon

TSP740MR

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features- 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46@VGS = 10VThis Power MOSFET is produced using Truesemis - Low gate charge ( typical 15.7nC)advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggednessThis advanced technology has been especially tailored - Fast switchingto minimize on-state resistance, provide superior sw

Другие MOSFET... TSP12N65M , TSF12N65M , TSP13N50M , TSF13N50M , TSP4N60M , TSF4N60M , TSP5N65M , TSF5N65M , IRF3710 , TSF740MR , TSP7N60M , TSF7N60M , TSP7N65M , TSF7N65M , TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR .

History: AP50T10GI-HF | RJK0392DPA | GSM1072

 

 
Back to Top

 


 
.