TSP740MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP740MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP740MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP740MR даташит

 ..1. Size:3927K  truesemi
 tsp740mr tsf740mr.pdf pdf_icon

TSP740MR

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFET General Description Features - 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46 @VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Truesemi s - Low gate charge ( typical 15.7nC) advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggedness This advanced technology has been especially tailored - Fast switching to minimize on-state resistance, provide superior sw

Другие IGBT... TSP12N65M, TSF12N65M, TSP13N50M, TSF13N50M, TSP4N60M, TSF4N60M, TSP5N65M, TSF5N65M, AO3400, TSF740MR, TSP7N60M, TSF7N60M, TSP7N65M, TSF7N65M, TSP7N80M, TSF7N80M, TSP840MR