TSF740MR Todos los transistores

 

TSF740MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF740MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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TSF740MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3927K  truesemi
 tsp740mr tsf740mr.pdf pdf_icon

TSF740MR

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features- 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46@VGS = 10VThis Power MOSFET is produced using Truesemis - Low gate charge ( typical 15.7nC)advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggednessThis advanced technology has been especially tailored - Fast switchingto minimize on-state resistance, provide superior sw

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History: TSM1N60SCT | PJD1NA80 | IRFR9120N | TSF7N80M | BUK7K18-40E | APT10026L2FLLG | NVMFD5C668NL

 

 
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