TSF740MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSF740MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
TSF740MR Datasheet (PDF)
tsp740mr tsf740mr.pdf

TSP740MR/TSF740MR 400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features- 10.5A, 400V, RDS(on)typ. = 0.46@VGS = 10VThis Power MOSFET is produced using Truesemis - Low gate charge ( typical 15.7nC)advanced planar stripe DMOS technology. - High ruggednessThis advanced technology has been especially tailored - Fast switchingto minimize on-state resistance, provide superior sw
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK1297 | STI100N10F7 | BRCS150C02YA | BUZ903DP | APT30M30JFLL | AP4506GEM | AP01L60T-HF
History: 2SK1297 | STI100N10F7 | BRCS150C02YA | BUZ903DP | APT30M30JFLL | AP4506GEM | AP01L60T-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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