YJD20N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJD20N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD20N06A

YJD20N06A Datasheet (PDF)

..1. Size:619K cn yangzhou yangjie elec
yjd20n06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD20N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 20A D R ( at V =10V) 43mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 47 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: