YJD20N06A Todos los transistores

 

YJD20N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJD20N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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YJD20N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  cn yangzhou yangjie elec
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YJD20N06A

RoHS COMPLIANT YJD20N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 20A D R ( at V =10V) 43mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 47 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

Otros transistores... TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , YJB150N06BQ , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , K4145 , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A , YJD50N03A , YJD60N02A , YJD60N04A , YJD65G10A .

History: CS10J60A4-G | ELM32434LA | AFP1073 | STB22NS25Z | MPSA80M670B | S60N15R | IRF7456PBF-1

 

 
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