YJD20N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJD20N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 15 nC
   Tiempo de subida (tr): 39 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJD20N06A

YJD20N06A Datasheet (PDF)

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yjd20n06a.pdf

RoHS COMPLIANT YJD20N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 20A D R ( at V =10V) 43mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 47 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell d

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Liste

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