YJL2301G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL2301G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL2301G

YJL2301G Datasheet (PDF)

..1. Size:618K cn yangzhou yangjie elec
yjl2301g.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2301G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 230 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

7.1. Size:593K cn yangzhou yangjie elec
yjl2301d.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2301D P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -3.8A D R ( at V =-4.5V) 52 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 78 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

7.2. Size:579K cn yangzhou yangjie elec
yjl2301f.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2301F P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2A D R ( at V =-4.5V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 150 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

7.3. Size:519K cn yangzhou yangjie elec
yjl2301c.pdf

RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.4A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and Current handing capability Low Gate Ch

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Liste

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