YJL2301G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL2301G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL2301G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2301G даташит

 ..1. Size:618K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301g.pdf pdf_icon

YJL2301G

RoHS COMPLIANT YJL2301G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 230 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 7.1. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301d.pdf pdf_icon

YJL2301G

RoHS COMPLIANT YJL2301D P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -3.8A D R ( at V =-4.5V) 52 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 78 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 7.2. Size:579K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301f.pdf pdf_icon

YJL2301G

RoHS COMPLIANT YJL2301F P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2A D R ( at V =-4.5V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 150 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 7.3. Size:519K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301c.pdf pdf_icon

YJL2301G

RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.4A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and Current handing capability Low Gate Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A, YJL2301C, YJL2301D, YJL2301F, 5N60, YJL2302A, YJL2302B, YJL2303A, YJL2304A, YJL2305A, YJL2305B, YJL2312A, YJL2312AL