YJL2305B Todos los transistores

 

YJL2305B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJL2305B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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YJL2305B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL2305B

RoHS COMPLIANT YJL2305B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -5.4A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 75 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed

 7.1. Size:650K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL2305B

RoHS COMPLIANT YJL2305A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -5.6A D R ( at V =-4.5V) 36.4 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 53.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 70.0 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High

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YJL2305B

RoHS COMPLIANT YJL2304A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 3.6A D R ( at V =10V) 39 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 52 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute M

 8.2. Size:628K  cn yangzhou yangjie elec
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YJL2305B

RoHS COMPLIANT YJL2303A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -3.0A D R ( at V =-10V) 85 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 105 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications PMW applicatio

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History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A

 

 
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