YJL3134KW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL3134KW
   Código: 34K.
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1 nC
   Tiempo de subida (tr): 18.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL3134KW

YJL3134KW Datasheet (PDF)

..1. Size:844K cn yangzhou yangjie elec
yjl3134kw.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20 V DS I 0.75 A D R ( at V =4.5V) 260 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 360 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PW

6.1. Size:423K cn yangzhou yangjie elec
yjl3134k.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3134K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 0.9A D R ( at V =4.5V) 250 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 350 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications Interf

8.1. Size:837K cn yangzhou yangjie elec
yjl3139kt.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3139KT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed swi

8.2. Size:850K cn yangzhou yangjie elec
yjl3139kdw.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3139KDW P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed sw

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Liste

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