Справочник MOSFET. YJL3134KW

 

YJL3134KW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJL3134KW
   Маркировка: 34K.
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.75 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
   Время нарастания (tr): 18.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для YJL3134KW

 

 

YJL3134KW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3134kw.pdf

YJL3134KW YJL3134KW

RoHS COMPLIANT YJL3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20 V DS I 0.75 A D R ( at V =4.5V) 260 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 360 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PW

 6.1. Size:423K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3134k.pdf

YJL3134KW YJL3134KW

RoHS COMPLIANT YJL3134K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 0.9A D R ( at V =4.5V) 250 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 350 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications Interf

 8.1. Size:837K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3139kt.pdf

YJL3134KW YJL3134KW

RoHS COMPLIANT YJL3139KT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed swi

 8.2. Size:850K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3139kdw.pdf

YJL3134KW YJL3134KW

RoHS COMPLIANT YJL3139KDW P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -0.65A D R ( at V =-4.5V) 520 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 750 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed sw

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top