YJL3400A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJL3400A
   Código: 3400.
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 52 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJL3400A

YJL3400A Datasheet (PDF)

..1. Size:574K cn yangzhou yangjie elec
yjl3400a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch

8.1. Size:642K cn yangzhou yangjie elec
yjl3401a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

8.2. Size:578K cn yangzhou yangjie elec
yjl3404a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

8.3. Size:706K cn yangzhou yangjie elec
yjl3407a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect

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Liste

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