Справочник MOSFET. YJL3400A

 

YJL3400A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJL3400A
   Маркировка: 3400.
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для YJL3400A

 

 

YJL3400A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3400a.pdf

YJL3400A YJL3400A

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch

 8.1. Size:642K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3401a.pdf

YJL3400A YJL3400A

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

 8.2. Size:578K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3404a.pdf

YJL3400A YJL3400A

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

 8.3. Size:706K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl3407a.pdf

YJL3400A YJL3400A

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top