YJQ3400A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJQ3400A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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YJQ3400A datasheet

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YJQ3400A

RoHS COMPLIANT YJQ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 7.7A D R ( at V =10V) 23mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 29mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 43mohm DS(ON) GS 100% V Tested DS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON

 9.1. Size:1058K  cn yangzhou yangjie elec
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YJQ3400A

RoHS COMPLIANT YJQ3415A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -6.2A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 100 mohm DS(ON) GS ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Des

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