YJS2308A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YJS2308A
Código: 2308
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 6.05 nC
Tiempo de subida (tr): 19.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 82 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJS2308A
YJS2308A Datasheet (PDF)
yjs2308a.pdf
RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (
yjs2301a.pdf
RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi
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