Справочник MOSFET. YJS2308A

 

YJS2308A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJS2308A
   Маркировка: 2308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.05 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для YJS2308A

 

 

YJS2308A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1651K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2308a.pdf

YJS2308A YJS2308A

RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (

 8.1. Size:600K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2301a.pdf

YJS2308A YJS2308A

RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TF68N80

 

 
Back to Top