Справочник MOSFET. YJS2308A

 

YJS2308A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJS2308A
   Маркировка: 2308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.05 nC
   Время нарастания (tr): 19.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 82 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для YJS2308A

 

 

YJS2308A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1651K  cn yangzhou yangjie elec
yjs2308a.pdf

YJS2308A
YJS2308A

RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (

 8.1. Size:600K  cn yangzhou yangjie elec
yjs2301a.pdf

YJS2308A
YJS2308A

RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top