CSD15380F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD15380F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.19 Ohm

Encapsulados: LGA0.6X0.7

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSD15380F3 datasheet

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CSD15380F3

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CSD15380F3

CSD15571Q2 www.ti.com SLPS435 AUGUST 2013 20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD15571Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nC VGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drai

 9.2. Size:227K  cdil
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CSD15380F3

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD1506 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB1065 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

Otros transistores... YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, YJS8205A, 50N06, CSD17581Q5A, CSD17585F5, CSD18543Q3A, CSD19538Q3A, CSD23280F3, CSD86360Q5D, CSD87333Q3D, CSD87335Q3D