CSD15380F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSD15380F3
   Código: 6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.35 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.216 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: LGA0.6X0.7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSD15380F3

CSD15380F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1412K texas
csd15380f3.pdf

Support &Product Order Technical Tools &CommunityFolder Now Documents SoftwareCSD15380F3ZHCSEZ4A MAY 2016REVISED JULY 2017CSD15380F3 20V N FemtoFETMOSFET1 1 CiSS COSSTA = 25C Qg QgdVDS 20 V Qg

9.1. Size:1396K texas
csd15571q2.pdf

CSD15571Q2www.ti.com SLPS435 AUGUST 201320-V N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD15571Q21FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nCVGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal PlatingRDS(on) Drai

9.2. Size:227K cdil
csd1506.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCSD1506TO126 Plastic PackageECBComplementary CSB1065Low Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >60 VCollector Emitter Voltage (open b

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: