CSD15380F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD15380F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.19 Ohm

Тип корпуса: LGA0.6X0.7

Аналог (замена) для CSD15380F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD15380F3 даташит

 ..1. Size:1412K  texas
 csd15380f3.pdf pdf_icon

CSD15380F3

 9.1. Size:1396K  texas
 csd15571q2.pdf pdf_icon

CSD15380F3

CSD15571Q2 www.ti.com SLPS435 AUGUST 2013 20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD15571Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nC VGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drai

 9.2. Size:227K  cdil
 csd1506.pdf pdf_icon

CSD15380F3

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD1506 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB1065 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

Другие IGBT... YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, YJS8205A, 50N06, CSD17581Q5A, CSD17585F5, CSD18543Q3A, CSD19538Q3A, CSD23280F3, CSD86360Q5D, CSD87333Q3D, CSD87335Q3D