TPS1101Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPS1101Y
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.791 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: CHIP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPS1101Y
TPS1101Y Datasheet (PDF)
tps1101 tps1101y.pdf
TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP
tps1101d tps1101pwr.pdf
TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP
tps1100d tps1100pw.pdf
TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin
tps1100 tps1100y.pdf
TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918