Справочник MOSFET. TPS1101Y

 

TPS1101Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPS1101Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.791 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для TPS1101Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPS1101Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1101Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

 7.1. Size:490K  texas
 tps1101d tps1101pwr.pdf pdf_icon

TPS1101Y

TPS1101, TPS1101YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin TSSOP

 8.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1101Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

 8.2. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1101Y

TPS1100, TPS1100YSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995D OR PW PACKAGED Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V(TOP VIEW)D 3 V CompatibleD Requires No External VCCSOURCE 1 8 DRAINSOURCE 2 7 DRAIND TTL and CMOS Compatible InputsSOURCE DRAIN3 6D VGS(th) = 1.5 V MaxGATE DRAIN4 5D Available in Ultrathin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD87335Q3D , CSD87355Q5D , CSD87384M , CSD87588N , CSD88537ND , TPS1100 , TPS1100Y , TPS1101 , IRFB4115 , TPS1120 , TPS1120Y , TMA10N60H , TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H .

History: NCE60R360F | WML80R1K5S | IPP17N25S3-100 | SFW095N200C3 | IRFP350CF | IRF7101 | IPW60R120P7

 

 
Back to Top

 


 
.