TMA2N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMA2N60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de TMA2N60H MOSFET
TMA2N60H Datasheet (PDF)
tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info
Otros transistores... TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , TMP20N65H , TMA20N65HG , TMW20N65HG , SPP20N60C3 , TMD2N60H , TMT2N60H , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H , TMD4N60H , TMP4N60H , TMA6N90H .
History: IPS0151S | IRFL4310TR | SQP120N10-09
History: IPS0151S | IRFL4310TR | SQP120N10-09



Liste
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