TMA2N60H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMA2N60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TMA2N60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMA2N60H даташит

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMA2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

Другие IGBT... TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H, TMA20N65HG, TMW20N65HG, K3569, TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H