TMT2N60H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMT2N60H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO126

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TMT2N60H datasheet

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
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TMT2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 7.1. Size:518K  trinnotech
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TMT2N60H

TMT2N60ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on 100% avalanche tested 600V 2A

 9.1. Size:327K  trinnotech
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TMT2N60H

TMT2N40G VDSS = 440 V @Tjmax Features ID = 2A Low gate charge RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT2N40G SOT223 TMT2N40G Absolute Maximum Ra

Otros transistores... TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, TMD2N60H, 4435, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H, TMP6N90H, TMA7N60H