TMT2N60H Todos los transistores

 

TMT2N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMT2N60H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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TMT2N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 7.1. Size:518K  trinnotech
 tmt2n60zg.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N60ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on 100% avalanche tested 600V 2A

 9.1. Size:327K  trinnotech
 tmt2n40g.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N40GVDSS = 440 V @TjmaxFeaturesID = 2A Low gate chargeRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT2N40G SOT223 TMT2N40GAbsolute Maximum Ra

Otros transistores... TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , TMP20N65H , TMA20N65HG , TMW20N65HG , TMA2N60H , TMD2N60H , 2SK3568 , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H , TMD4N60H , TMP4N60H , TMA6N90H , TMP6N90H , TMA7N60H .

 

 
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