Справочник MOSFET. TMT2N60H

 

TMT2N60H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMT2N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для TMT2N60H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT2N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 7.1. Size:518K  trinnotech
 tmt2n60zg.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N60ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on 100% avalanche tested 600V 2A

 9.1. Size:327K  trinnotech
 tmt2n40g.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N40GVDSS = 440 V @TjmaxFeaturesID = 2A Low gate chargeRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDDSGDGSDevice Package MarkingTMT2N40G SOT223 TMT2N40GAbsolute Maximum Ra

Другие MOSFET... TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , TMP20N65H , TMA20N65HG , TMW20N65HG , TMA2N60H , TMD2N60H , 2SK3568 , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H , TMD4N60H , TMP4N60H , TMA6N90H , TMP6N90H , TMA7N60H .

History: SSG4410N | MEE3712F | 2SK1758

 

 
Back to Top

 


 
.