TMT2N60H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMT2N60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO126

Аналог (замена) для TMT2N60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT2N60H даташит

 ..1. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 7.1. Size:518K  trinnotech
 tmt2n60zg.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N60ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on 100% avalanche tested 600V 2A

 9.1. Size:327K  trinnotech
 tmt2n40g.pdf pdf_icon

TMT2N60H

TMT2N40G VDSS = 440 V @Tjmax Features ID = 2A Low gate charge RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT2N40G SOT223 TMT2N40G Absolute Maximum Ra

Другие IGBT... TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, TMD2N60H, 4435, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H, TMP6N90H, TMA7N60H