TMU2N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMU2N60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMU2N60H
TMU2N60H Datasheet (PDF)
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TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info
tmd2n60z tmu2n60z.pdf
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A
tmd2n60az tmu2n60az.pdf
TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
tmd2n65az tmu2n65az.pdf
TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
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Liste
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