TMA4N60H Todos los transistores

 

TMA4N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMA4N60H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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TMA4N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  cn wuxi unigroup
 tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf pdf_icon

TMA4N60H

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

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History: CSD17581Q5A | IRC530PBF | MDS3753EURH | SVD3205S

 

 
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