TMC7N60H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMC7N60H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO262

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TMC7N60H datasheet

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TMC7N60H

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

Otros transistores... TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H, TMP6N90H, TMA7N60H, IRFB3607, TMD7N60H, TMU7N60H, TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H, TMA8N60H, TMD8N60H