TMD7N65H Todos los transistores

 

TMD7N65H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD7N65H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

TMD7N65H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  cn wuxi unigroup
 tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM

 7.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 8.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

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History: 1N65G-TM3-T | STW24N60M2 | 2SK2907-01 | WMQ46N03T1 | FDB6690S | RUH1H130S | NCEP070N10GU

 

 
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