TMD7N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD7N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TMD7N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD7N65H даташит

 ..1. Size:1062K  cn wuxi unigroup
 tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES l Fast switching l 100% avalanche tested l Improved dv/dt capability APPLICATIONS l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA7N65H TO-220F A7N65H TM

 7.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 8.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMA6N90H, TMP6N90H, TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H, TMA7N65H, TMP7N65H, AON7506, TMU7N65H, TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H, TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H