Справочник MOSFET. TMD7N65H

 

TMD7N65H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD7N65H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TMD7N65H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD7N65H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  cn wuxi unigroup
 tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM

 7.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 8.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMD7N65H

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMA6N90H , TMP6N90H , TMA7N60H , TMC7N60H , TMD7N60H , TMU7N60H , TMA7N65H , TMP7N65H , IRFP250 , TMU7N65H , TMA8N60H , TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H .

 

 
Back to Top

 


 
.