TMP160N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP160N10A
Código: 160N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 285 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 614 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMP160N10A
TMP160N10A Datasheet (PDF)
tmp160n10a.pdf
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TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A
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TMP16N60A(G)/TMPF16N60A(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A
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TMP16N60/TMPF16N60TMP16N60G/TMPF16N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 16A Low gate chargeRDS(on) = 0.47 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP16N60 / TMPF16N60 TO-220 / TO-220F TMP16N60 / TMPF16N60 RoHSTMP16N60G / TMPF16N60G
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