TPG70R600M Todos los transistores

 

TPG70R600M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPG70R600M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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TPG70R600M Datasheet (PDF)

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TPG70R600M

TPG70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

Otros transistores... TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , TPD80R900M , TPU80R900M , TPG60R070DFDH , TPG65R125MH , TPG65R360M , 2N7000 , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C , TPD50R250C , TPC50R250C , TPB50R250C , TPP50R400C , TPA50R400C .

 

 
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