TPG70R600M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPG70R600M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de TPG70R600M MOSFET
TPG70R600M Datasheet (PDF)
tpg70r600m.pdf

TPG70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma
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History: TPP50R250C | IPP147N12N3G | AP65SL600AI | SFFX054M | MDP10N50TH | MDP1923TH
History: TPP50R250C | IPP147N12N3G | AP65SL600AI | SFFX054M | MDP10N50TH | MDP1923TH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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