TPG70R600M - аналоги и даташиты транзистора

 

TPG70R600M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPG70R600M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для TPG70R600M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG70R600M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  cn wuxi unigroup
 tpg70r600m.pdf pdf_icon

TPG70R600M

TPG70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

Другие MOSFET... TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , TPD80R900M , TPU80R900M , TPG60R070DFDH , TPG65R125MH , TPG65R360M , 2N7000 , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C , TPD50R250C , TPC50R250C , TPB50R250C , TPP50R400C , TPA50R400C .

 

 
Back to Top

 


 
.