Справочник MOSFET. TPG70R600M

 

TPG70R600M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPG70R600M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG70R600M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  cn wuxi unigroup
tpg70r600m.pdfpdf_icon

TPG70R600M

TPG70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MCH3427 | SFS9640 | NDT6N70 | NCE65T540F | JCS5N65FB | IPD50R280CE | PSMN4R0-60YS

 

 
Back to Top

 


 
.