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FDB8444F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB8444F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB8444F085 datasheet

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FDB8444F085

August 2007 FDB8444TS tm N-Channel PowerTrench MOSFET with Temperature Sensor 40V, 70A, 5m Features Applications Typ rDS(on) = 3.8m at VGS = 10V, ID = 70A Automotive Engine Control Typ Qg(TOT) = 130nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul

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FDB8444F085

February 2006 FDB8444 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 70A, 5.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 3.9m at VGS = 10V, ID = 70A Powertrain Management Typ Qg(TOT) = 91nC at VGS = 10V Solenoid and Motor Drivers Low Miller Charge Electronic Transmission Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single Pul

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FDB8444F085

October 2010 FDB8444_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 70A, 5.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 3.9m at VGS = 10V, ID = 70A Powertrain Management Typ Qg(TOT) = 91nC at VGS = 10V Solenoid and Motor Drivers Low Miller Charge Electronic Transmission Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single P

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History: FDMA520PZ | IXTN60N50L2

 

 

 


 
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