FDB8444F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB8444F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB8444F085

FDB8444F085 Datasheet (PDF)

7.1. Size:292K fairchild semi
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August 2007FDB8444TStmN-Channel PowerTrench MOSFET with Temperature Sensor40V, 70A, 5m Features Applications Typ rDS(on) = 3.8m at VGS = 10V, ID = 70A Automotive Engine Control Typ Qg(TOT) = 130nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul

7.2. Size:310K fairchild semi
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February 2006FDB8444N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 70A, 5.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 3.9m at VGS = 10V, ID = 70A Powertrain Management Typ Qg(TOT) = 91nC at VGS = 10V Solenoid and Motor Drivers Low Miller Charge Electronic Transmission Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single Pul

7.3. Size:387K fairchild semi
fdb8444 f085.pdf

October 2010FDB8444_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 70A, 5.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 3.9m at VGS = 10V, ID = 70A Powertrain Management Typ Qg(TOT) = 91nC at VGS = 10V Solenoid and Motor Drivers Low Miller Charge Electronic Transmission Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single P

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Liste

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