TSG12N06AT Todos los transistores

 

TSG12N06AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSG12N06AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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TSG12N06AT Datasheet (PDF)

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TSG12N06AT

TSG12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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TSG12N06AT

TSG12N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P

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TSG12N06AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , IRFP260N , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A .

History: AP4509GM-HF | RTU002P02 | NTMFS0D9N03CG | HGI750N15ML

 

 
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